Les mémoires à Memristors dans des PC d’ici trois ans

HP a noué un partenariat avec le fondeur sud-coréen Hynix pour lancer le développement et ensuite la production en volume de mémoires basées sur la technologie des Memristors. Selon Stan Williams qui dirige l’équipe des chercheurs d’HP travaillant sur le sujet, les premiers produits - PC, mobiles et autres produits électronique - utilisant des mémoires à Memristors devraient être disponible d’ici à trois ans.
 
C’est en 2008 qu’HP a commencé à communiquer sur cette technologie des Memristors qui avait été mise en évidence en 1971 par Leon Chua, un ingénieur électronicien de l’université de Berkeley. En avril dernier, HP avait publié un article dans le magazine Nature (Les Memristors vont-ils doper la loi de Moore ?) pour présenter plus en détail les caractéristiques et attributs de cette technologie.

Rappelons que le Memristor, une appellation qui est la contraction de Memory Resistor, est présenté comme le quatrième composant passif fondamental de l’électronique aux côtés de la résistance, le condensateur et le solénoïde (Composants passifs : HP invente le quatrième élément). Cette réalisation intervient 37 ans après qu'un ingénieur de l'université de Berkeley ait postulé, en se basant sur des raisons de symétrie, l'existence d'un tel composant. Il partait de l'idée qu'un tel composant jouerait un rôle similaire par rapport au flux magnétique et à la charge qu'une résistance par rapport à l'intensité électrique et la tension. En pratique, cela signifie que ce nouveau composant aurait une mémoire lui permettant de se rappeler des valeurs du courant après que celui-ci soit passé.
 
« Après avoir travaillé pendant une quinzaine d’années sur les technologies mémoire, je suis persuadé que cette technologie pourra être utilisée pour la confection des mémoires, explique Stan Williams. Le délai raisonnable pour que les premiers produits à base de Memristors soit disponible devrait être de trois ans. En revanche, nous ne savons pas encore quels types de mémoire pourront être remplacés par les Memristors : NOR ou NAND Flash, mémoire SSD, DRAM, SRAM… Mais à terme, nous espérons que ces futures mémoires pourront devenir la mémoire universelle que l’on attend depuis bien longtemps et apporteront une amélioration significative au niveau de l’expérience utilisateur. »  

 
Partenariat avec Hynix
 
HP travaille donc avec Hynix pour le développement des mémoires à Memristor et se prépare à reconcevoir ses produits afin qu’ils puissent bénéficier le plus rapidement possible de ces technologies. « D’autres sociétés travaillent sur ces technologies, mais ne comprennent pas vraiment ce qu’est le Memristor et ne sont donc pas en situation de les exploiter efficacement », précise Stan Williams. L’objectif d’HP n’est pas d’être seul à bénéficier de cette technologie, mais d’être le premier avec des produits sur le marché et aussi d’utiliser des versions de mémoire spécifiques apportant des avantages par rapport aux versions standards qui seront disponibles à tous les fournisseurs.
 
« Quelle que soit l’évolution de la mémoire Flash qui constitue pour nous une cible mouvante, nous pensons qu’en 2013, les mémoires à Memristors offriront une densité de stockage double et un coût par bit deux fois élevé », précise Stan Williams.
 
Parmi les avantages apportés par les Memristors :
- Ils nécessitent moins d’énergie pour fonctionner et sont plus rapides que les technologies actuelles telles que les mémoires SSD ; ils peuvent stocker deux fois plus de données sur une même surface ;
- Contrairement aux transistors, les Memristors sont insensibles aux radiations ;
- Parce qu’ils offrent de la mémoire rémanente, les Memristors peuvent permettent aux ordinateurs de n’avoir pas besoin d’êtres rebootés ; l'utilisateur retrouverait ses fichiers et ses applications dans l'état où il les avait laissés. Ce qui permettrait de rebooter un PC aussi rapidement que l’on allume une ampoule.
 
La voie poursuivie par HP est radicalement différente de celle retenue par IBM, Intel et d’autres entreprises connue sous le vocable de Phase Change Memory (Un remplaçant pour la mémoire Flash ?).
 

 

 
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Petits rappels sur les mémoires
Flash NOR ou NAND
La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs réinscriptible, c'est-à-dire une mémoire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension.
La technique flash se décline sous deux principales formes : Flash NOR et NAND.
- La mémoire flash NOR, inventée par Fujio Masuoka, un employé de Toshiba, fut la première à être développée commercialement par Intel en 1988. Les temps d'effacement et d'écriture sont longs mais elle possède une interface d'adressage permettant un accès aléatoire et rapide à n'importe quelle position.
- La mémoire flash NAND suivit en 1989, commercialisée par Toshiba. Elle est plus rapide à l'effacement et à l'écriture, offre une plus grande densité et un coût moins important par bit. Toutefois son interface d'entrée / sortie n'autorise que l'accès séquentiel aux données.
Il existe deux grandes familles de mémoires flash :
- Les cartes mémoires destinées à de petits appareils tels que appareils photos numériques ou téléphones portables ;
- Les SSD (Solid State Drives), unités de stockage statiques destinées à remplacer progressivement les disques durs. Pour cette raison, on les appelle parfois "disques SSD".
 
RAM, DRAM, SRAM
La mémoire dynamique à accès direct (DRAM pour Dynamic Random Access Memory  est un type de mémoire électronique à accès arbitraire (RAM ou Random Access Memory). Sans alimentation la DRAM perd ses données, ce qui la range dans la famille des mémoires volatiles. A contrario les mémoires statiques SRAM n'ont pas besoin de rafraîchissement mais utilisent plus d'espace.
(Source : Wikipedia)