Intel et Micro présentent la mémoire flash NAND 25 nanomètres

Les sociétés Intel et Micron Technology vient d’annoncer la réalisation de la première puce NAND gravée en 25 nanomètres. Elle constitue un tremplin plus économique pour augmenter la capacité de stockage de terminaux grand public comme les téléphones portables, les baladeurs audio et multimédia mais aussi une nouvelle génération de support de stockage SSD. En effet, c’est sur ce type de mémoire flash NAND que sont stockées de manière rémanente, les données et contenus des produits de microélectronique. 25 nm représentent à ce jour la plus fine gravure jamais réalisée dans toute l’industrie des semi-conducteurs.

La mémoire flash 25 nm NAND est fabriquée par IM Flash Technologues, coentreprise fondée par Intel et Micron. Elle est d’une capacité de 8 Go pour une seule unité ce qui représente une très grande capacité de stockage. Elle peut passer par le trou central d’un CD et contient malgré cela dix fois plus de données qu’un CD de 700 Mo.

La nouvelle unité 25 nm de 8 Go devrait entrer en production de série au deuxième trimestre 2010.